超高精度かつプローブ針先変数を最小化するためのエミ準位表面粗さ測定では、ウェハの表面粗さは半導体装置の性能を決定する上で極めて重要であり、最先端の素子メーカー、チップメーカー、ウェハベンダーは、ウェハ商の超平坦表面に対してより正確な粗さ制御を行うことを要求している。0.5オングストロームの業界では低騒音であり、それと真の非接触式がモードであることを組み合わせて、Park NX-Wafer最小針先変数を有するエミ準位粗さ測定を確実に得ることができる、Parkクロストーク除去により、非常に平坦な直交も可能になるXY走査は、背景曲率がなく、最も平坦な表面上でタイムリーに行われ、走査位置、速度、大きさを考慮する必要もありません。これにより、ミクロンレベルの粗さから長範囲の不平坦な表面までを非常に正確かつ繰り返し測定することができます。パーカーの知能ADR技術は全自動の欠陥検出と識別を提供し、重要なオンラインプロセスが高解像度3Dイメージングは欠陥タイプを分類し、彼らのソース、インテリジェントADR半導体産業向けに設計された最先端の欠陥検出ソリューションを提供し、自動目標位置を持ち、サンプルを頻繁に損傷する密集した参照マークを必要とせず、従来の欠陥検出方法に比べてインテリジェントであるADRプロセスが向上1000%の生産性に加えて、パーカーは創造性を持っているTrue-Contactパターン＃パターン＃AFMテクノロジーADR能力が上がる20より長いプローブ寿命の2倍。

工業をリードする低雑音パーカー原子間力顕微鏡は長距離スライドテーブルに結合され、化学機械研磨計量のための原子間力輪郭計となり、新しい低雑音AFP局所的かつ全面的な均一性測定のために、非常に平坦な輪郭走査を提供し、最適な輪郭走査精度と市場の再現性を有し、これにより、広範囲の輪郭レンジにおいて非線形または高ノイズ背景除去の高精度測定がないことを保証する。

主な技術特徴

主な機能

1.ウエハと基板の自動欠陥検出

新しい300mmこうばんADR欠陥マッピングの座標変換と修正欠陥の測定と増幅走査イメージングの全自動欠陥再検査過程を提供し、サンプルウエハを必要としない

何のマーク、

2.サブエミレベル表面粗さ制御

ウェハ領域全体に低0.5オングストロームの業界最低騒音下線は、最も平坦な基板とウエハを正確に、繰り返し可能で再現可能なオングストローム級の太さにすることができる

走査寸法が100μmx 100μmの長距離波長も、非常に正確で再現可能な表面測定を得ることができる

はかる

3.CMP特徴づけを行う長範囲輪郭走査

Park NX-WaferはかつてないCMP凹み、侵食、エッジオーバー侵食を含む測定（EOE）の局所的及び局所的平坦度測定。

適用＃テキヨウ＃

線の太さそくてい

超滑らか材料表面粗さ測定

ウェハ欠陥自動検出用途

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